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FD-MRS-A型 磁电阻与巨磁电阻效应综合实验仪

(专利:ZL201420194634.0)

复旦天欣 2008年6月17日 发表
  

  由磁场引起材料电阻变化的现象称为磁电阻效应。 目前发现的磁电阻效应有:正常磁电阻效应( OMR )、各向异性磁电阻效应( AMR )、巨磁电阻效应( GMR )、庞磁电阻效应( CMR )及隧穿磁电阻效应( TMR )等。

  本仪器提供三种磁电阻传感器,分别为多层膜巨磁电阻传感器 、自旋阀巨磁电阻传感器、各向异性磁电阻传感器。 帮助学生了解不同磁电阻效应的原理及应用,仪器安全可靠,实验内容丰富。 可用于高校、中专的基础物理实验、近代物理实验及综合性设计性物理实验。

  应用本仪器可完成以下实验:

  1 .了解不同磁电阻效应原理,测量不同磁场下三种材料磁电阻阻值 RB ,作 RB/R0-B 关系图,求电阻相对变化率(RB-R0)/R0 的最大值;

  2. 学习磁电阻传感器定标方法,计算三种磁电阻传感器灵敏度;

  3 . 测量三种磁电阻传感器输出 电压V输出与通电导线电流 I 的关系;

  4 .作自旋阀巨磁电阻传感器磁滞回线。

  仪器主要技术参数:

  1 .多层膜巨磁电阻传感器 线性范围 0.15mT - 1.05mT   灵敏度 30.0mV/V/mT - 42.0mV/V/mT

    自旋阀巨磁电阻传感器 线性范围 -0.81mT - 0.87mT   灵敏度 13.0mV/V/mT - 16.0mV/V/mT

    各向异性磁电阻传感器 线性范围 -0.6mT - 0.6mT   灵敏度 8.0mV/V/mT - 12.0mV/V/mT

  2 .亥姆霍兹线圈 单只线圈匝数 N= 200 匝,半径 10 cm

  3 .亥姆霍兹线圈用恒流源 输出电流 0 - 1.2A 连续可调

  4 .测量用恒流源 输出电流 0 - 5A 连续可调

 

 

 

 

 

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