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FD-MR-C型 磁电阻效应实验仪
复旦天欣 2008年6月17日 发表
  

  磁电阻传感器由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛,如:数字式罗盘、交通车辆检测,导航系统、伪钞检测、位置测量等。其中最典型的锑化铟( InSb )传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻传感器,有着十分重要的应用价值。

  本实验装置结构简单、实验内容丰富,使用两种类型的传感器:利用砷化镓( GaAs )霍耳传感器测量磁感应强度,研究锑化铟( InSb )磁电阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。

  应用该实验仪可以完成以下实验:

  •  测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。

  •  作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。

  •  对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。

  •  研究 InSb 磁电阻传感器在弱磁场下的交流特性(倍频效应),观测其特有的物理现象。

  该仪器具有研究性和设计性实验的特点,可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验,也可用于演示实验。

  仪器主要技术参数:

  1 .磁电阻传感器工作电源 输出电流 0 - 3mA 连续可调。

  2 .数字式毫特仪 测量范围 0 - 199.9mT  分辨率 0.1mT ,液晶显示

  3 .数字电压表 测量范围 0 - 1999mV  分辨率 1mV ,液晶显示

 

 

 

 

 

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