实验项目：

　　1 ．了解光敏电阻的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。

　　2 ．了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。

　　3 ．了解硅光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。

　　4 ．了解硅光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。

　　仪器主要技术参数：

　　1. 电源电压： 220V ± 10%;50Hz ± 5%; 功耗＜ 50W

　　2. 实验电源： DC0-- ± 12V 可调， 0.3A

　　3. 光源照度： 分为三档

　　　低（ Lx: ≥ 3 ） 定标指示≈： 1.3mV

　　　中（ Lx: ≥ 250 ） 定标指示≈ : 18.5 mV

　　　高（ Lx: ≥ 1500 ） 定标指示≈ : 38.5 mV

　　4. 数字电压表 ( 测量系统 ) ： 量程（三档） 0-200mV ； 0-2V; 0-20V

　　　　　　　　　　　　　　　　　分辨率 0.1mV (200mV); 0.001V (2V); 0.01V (20V)

　　5. 数字电压表（定标系统）： 0-200mV; 分辨率 0.1mV