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FD-MR-II型 磁阻效应实验仪
复旦天欣 2008年6月17日 发表
  

  磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛,如:数字式罗盘、交通车辆检测,导航系统、伪钞检测、位置测量等。其中最典型的锑化铟( InSb)传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻,有着十分重要的应用价值。

  本实验装置结构简单、实验内容丰富,使用两种材料的传感器:利用砷化镓( GaAs)霍耳传感器测量磁感应强度,研究锑化铟(InSb)磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。学生可观测半导体的霍耳效应和磁阻效应两种物理规律,具有研究性和设计性实验的特点。

  该仪器可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验,也可用于演示实验。

  应用本实验仪可以完成以下实验:

  1.用于测定通过电磁铁的电流和磁铁间隙中磁感应强度的关系,观测砷化镓(GaAs)霍耳元件的霍耳效应。

  2.用于测定锑化铟(InSb)磁阻元件电阻大小磁感应强度的对应关系。

  3.研究锑化铟(InSb)磁阻元件在不同磁感应强度区域的电阻值变化与磁感应强度的关系,进行曲线拟合,求出磁阻元件电阻与磁感应强度关系的经验公式。

  4.外接信号发生器,深入研究磁电阻的交流特性(倍频效应),观测其特有的物理现象(选做)。

  仪器主要技术参数:

  1.双路直流电源

   电流范围 0-500mA 连续可调,数字电流表显示大小。

   电流范围 0-3mA 连续可调,供传感器的工作电流。

  2.数字式毫特计

   测量范围 0-0.5T,分辨率0.0001T,准确率为1%。

 

 

 

 

 

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